Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF5210LPBF
MOSFET P-CH 100V 38A TO262
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF5210
IRF5210LPBF Hakkında
IRF5210LPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source gerilimi ve 38A sürekli drain akımı kapasitesiyle güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 60mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. TO-262 (I²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Anahtarlama devreleri, motor kontrolü, güç yönetimi ve ters polarite koruması gibi uygulamalarda tercih edilir. 10V gate sürücü gerilimi ile standart kontrol devrelerine uyumludur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 38A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 230 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2780 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.1W (Ta), 170W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60mOhm @ 38A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-262 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok