Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF521
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF521
IRF521 Hakkında
IRF521, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET'tir. 80V Drain-Source gerilimi ve 9.2A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. 270mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim direnci sağlar. Gate Charge değeri 15nC olarak belirtilmiştir. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, -55°C ile +175°C arasında çalışır. 60W maksimum güç tüketimi ile endüstriyel anahtarlama, motor kontrol uygulamaları, güç kaynakları ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. ±20V Gate-Source gerilimi toleransı ve 4V eşik gerilimi özellikleri ile tasarımcılara esneklik sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9.2A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 350 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 60W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 270mOhm @ 5.6A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok