Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRF520S

MOSFET N-CH 100V 9.2A D2PAK

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
IRF520

IRF520S Hakkında

IRF520S, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 9.2A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. D²PAK (TO-263) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 270mΩ on-resistance değeri ile düşük güç kaybı sağlar. Gate charge 16nC olup, 10V sürüş voltajında çalışır. -55°C ile 175°C işletme sıcaklık aralığında kullanılabilir. Anahtarlama uygulamaları, motor kontrolü, güç yönetimi ve DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak kullanılan bir transistördür. Maksimum 60W güç yayılabilir (Tc ölçülmesi ile).

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9.2A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 360 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 3.7W (Ta), 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 270mOhm @ 5.5A, 10V
Supplier Device Package D²PAK (TO-263)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok