Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRF520PBF

MOSFET N-CH 100V 9.2A TO220AB

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
IRF520

IRF520PBF Hakkında

IRF520PBF, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 9.2A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. TO-220-3 paketinde sunulan bu komponent, güç anahtarlama uygulamalarında, motor kontrol devrelerinde, invertör tasarımlarında ve anahtarlamalı güç kaynakları (SMPS) gibi yüksek akımlı kontrol işlemlerinde yaygın olarak kullanılır. 10V gate geriliminde 270mΩ maksimum on-direnci ile hızlı anahtarlama performansı sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir işletim imkanı verir. 60W maksimum güç tüketimi kapasitesi ile ısıl tasarımda dikkate alınmalıdır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9.2A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 360 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 270mOhm @ 5.5A, 10V
Supplier Device Package TO-220AB
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok