Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRF520NSTRLPBF

MOSFET N-CH 100V 9.7A D2PAK

Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
IRF520N

IRF520NSTRLPBF Hakkında

IRF520NSTRLPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source voltajı ve 9.7A sürekli drenaj akımı ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. D2PAK (TO-263-3) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 10V gate sürücü voltajında 200mΩ maksimum açık kanal direnci (Rds On) sunar. -55°C ile 175°C arasında çalışan ve 48W güç dağıtabilen bu transistör, motor kontrol, güç kaynakları, LED sürücü devreleri ve endüstriyel anahtar uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. 330pF giriş kapasitansı ve 25nC gate yükü ile hızlı anahtarlama performansı sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9.7A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 330 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 3.8W (Ta), 48W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 200mOhm @ 5.7A, 10V
Supplier Device Package D2PAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok