Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF520NSPBF
MOSFET N-CH 100V 9.7A D2PAK
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF520NS
IRF520NSPBF Hakkında
IRF520NSPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source voltaj kapasitesi ve 9.7A sürekli drain akımı ile tasarlanmıştır. D2PAK (TO-263) yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, 10V gate sürüş voltajında 200mOhm RDS(on) değerine sahiptir. Gate şarj kapasitesi 25nC olup, giriş kapasitanı 330pF'dir. Anahtarlama devrelerinde, motor kontrolü, güç yönetimi uygulamalarında ve DC-DC konvertörlerde yaygın olarak kullanılmaktadır. ±20V maksimum gate-source voltajı ile güvenli çalışma sağlar. 3.8W (Ta) ve 48W (Tc) güç yayma kapasitesi bulunmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9.7A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 330 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Market |
| Power Dissipation (Max) | 3.8W (Ta), 48W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 200mOhm @ 5.7A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok