Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF520NS
MOSFET N-CH 100V 9.7A D2PAK
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF520
IRF520NS Hakkında
IRF520NS, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 9.7A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. 10V drive voltajında 200mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim direncine sahiptir. D2PAK (TO-263) yüzey montaj paketinde sunulur. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. Gate charge 25nC ve input capacitance 330pF değerleriyle anahtarlama uygulamalarında, motor kontrol devrelerinde, güç dönüştürücülerinde ve DC-DC konvertörlerde kullanılır. 3.8W (Ta) veya 48W (Tc) güç yayılım kapasitesi bulunmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9.7A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 330 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 3.8W (Ta), 48W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 200mOhm @ 5.7A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok