Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF520NLPBF
MOSFET N-CH 100V 9.7A TO262
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF520NL
IRF520NLPBF Hakkında
IRF520NLPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 9.7A sürekli dren akımı kapasitesi ile anahtarlama ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. TO-262 paketinde sunulan bu bileşen, 10V gate sürücü voltajında 200mΩ maksimum on-direnci ile düşük güç kaybı sağlar. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ~ 175°C) sayesinde endüstriyel uygulamalarda, motor kontrol devreleri, DC-DC konvertörleri ve güç anahtarlama sistemlerinde yaygın olarak tercih edilir. Hızlı anahtarlama karakteristiği ve düşük giriş kapasitansi (330pF) ile verimli devre tasarımına olanak tanır. Bileşen üretim durdurulmuş (obsolete) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9.7A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 330 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 3.8W (Ta), 48W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 200mOhm @ 5.7A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-262 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok