Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF520NL
MOSFET N-CH 100V 9.7A TO262
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF520NL
IRF520NL Hakkında
IRF520NL, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel Metal Oxide Semiconductor FET (MOSFET) transistörüdür. 100V drain-source voltaj kapasitesi ve 9.7A sürekli drain akımı ile tasarlanmıştır. TO-262-3 (I²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, güç yönetimi uygulamalarında, motor sürücüleri, anahtarlama devreleri ve güç kaynağı tasarımlarında yaygın olarak kullanılır. 10V gate sürme voltajında 200mOhm maksimum RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama performansı sunar. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir şekilde çalışır. Maksimum 48W güç harcaması kapasitesi (Tc'de) endüstriyel ve ticari uygulamalara uygunluğunu gösterir. Bileşen şu anda üretim dışı (Obsolete) statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9.7A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 330 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 3.8W (Ta), 48W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 200mOhm @ 5.7A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-262 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok