Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF520
MOSFET N-CH 100V 10A TO220AB
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF520
IRF520 Hakkında
IRF520, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel Metal Oxide Semiconductor FET (MOSFET) transistörüdür. 100V drain-source gerilimi ve 10A sürekli drain akımı kapasitesi ile anahtarlama ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 270mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. ±20V gate gerilim aralığında çalışabilir ve 4V threshold gerilimi ile hızlı yanıt süresi elde edilir. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, motor kontrol, güç kaynakları, invertör devreleri ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır. Maksimum 60W güç saçabilir ve -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 460 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 60W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 270mOhm @ 7A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok