Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF512
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF512
IRF512 Hakkında
IRF512, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilim kapasitesi ve 4.9A sürekli drain akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 10V gate sürücü geriliminde 740mOhm on-state direnci ile verimli anahtarlama performansı sağlar. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, motor kontrolü, güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler ve anahtarlamalı güç devrelerinde yaygın olarak uygulanır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir işletme sağlar. 43W maksimum güç kaybı kapasitesi ile ısı yönetimi gerektiren tasarımlara uyum sağlamaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.9A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.7 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 135 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 43W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 740mOhm @ 3.4A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok