Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF510STRRPBF
MOSFET N-CH 100V 5.6A TO263
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF510
IRF510STRRPBF Hakkında
IRF510STRRPBF, Vishay tarafından üretilen N-Channel Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET) bileşenidir. 100V drain-source gerilimi ve 5.6A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip bu transistör, TO-263 (D²Pak) yüzey montaj paketi ile sunulmaktadır. 10V gate sürme geriliminde 540mOhm maksimum on-state direnci ile düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile +175°C arasında çalışabilen bu bileşen, güç kaynakları, motor kontrolü, switching amplifikatörleri ve genel amaçlı switching uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. 3.7W (Ta) maksimum güç tüketimi ile termal yönetimi kolaylaştırır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.3 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 180 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.7W (Ta), 43W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 540mOhm @ 3.4A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok