Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF510STRR
MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF510
IRF510STRR Hakkında
IRF510STRR, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source voltaj kapasitesi ve 5.6A sürekli drenaj akımı ile çalışır. D²Pak (TO-263) yüzey montaj paketinde sunulur. 10V gate sürüş voltajında 540mΩ on-direnci ile hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 175°C sıcaklık aralığında çalışabilir. MOSFET (Metal Oxide) teknolojisine dayanan bu komponent, güç anahtarlama, motor kontrolü, DC-DC dönüştürücüler ve doğrudan akım yönetimi uygulamalarında yaygın olarak kullanılmıştır. 8.3nC maksimum gate charge değeri ile düşük sürüş gereksinimlerine sahiptir. Ürün şu anda üretimi sonlandırılmış (Obsolete) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.3 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 180 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 3.7W (Ta), 43W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 540mOhm @ 3.4A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok