Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRF510SPBF

MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
IRF510

IRF510SPBF Hakkında

IRF510SPBF, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source voltaj ve 5.6A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. D²PAK (TO-263) SMD paketinde sunulan bu bileşen, güç yönetimi, motor kontrol, anahtarlama uygulamaları ve DC/DC dönüştürücülerde yaygın olarak kullanılır. 10V gate drive voltajında 540mΩ maksimum on-direnci ile düşük güç kaybı sağlar. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ile 175°C arası) sayesinde endüstriyel ve otomotiv uygulamalarına uygun bir seçenektir. 43W maksimum güç yayılımı kapasitesi ile yüksek güçlü devrelerde kullanılabilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5.6A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 180 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 3.7W (Ta), 43W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 540mOhm @ 3.4A, 10V
Supplier Device Package D²PAK (TO-263)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok