Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF510L
MOSFET N-CH 100V 5.6A TO262-3
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF510L
IRF510L Hakkında
IRF510L, Vishay tarafından üretilen N-Channel Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET) olup, 100V drain-source gerilim kapasitesine ve 5.6A sürekli drain akımına sahiptir. TO-262-3 paketinde sunulan bu transistör, 540mΩ (10V, 3.4A'de) ile düşük on-state direnç değerine ve 8.3nC gate charge karakteristiğine sahiptir. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor kontrol sistemleri ve genel amaçlı amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığına ve through-hole montaj türüne uygun olan bu komponent, endüstriyel ve tüketici eletronik tasarımlarında yaygın olarak tercih edilmiştir. Not: Bu ürün üretimi durdurulmuş (obsolete) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.3 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 180 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Obsolete |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 540mOhm @ 3.4A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-262-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok