Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF510
MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF510
IRF510 Hakkında
IRF510, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source gerilimi ile 5.6A sürekli drain akımı sağlayabilen bu bileşen, güç elektronikleri uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan IRF510, motor kontrol devreleri, güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler ve RF amplifikatörleri gibi uygulamalarda tercih edilir. 10V gate sürüş geriliminde 540mOhm ile düşük on-resistance değerine sahiptir. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu MOSFET, 43W maksimum güç dağılımı kapasitesine sahiptir. İlk tasarım versiyonu olup, yeni tasarımlarda güncel alternatiflerin değerlendirilmesi önerilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.3 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 180 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 43W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 540mOhm @ 3.4A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok