Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRF453

N-CHANNEL POWER MOSFET

Paket/Kılıf
TO-204AA
Seri / Aile Numarası
IRF453

IRF453 Hakkında

IRF453, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistörüdür. 450V drain-source gerilim kapasitesi ve 7.2A sürekli drenaj akımı ile orta güç uygulamalarına uygundur. TO-3 paketinde sunulan bu bileşen, 500mΩ maksimum açık durumda kaynak-drenaj direncine (Rds On) sahiptir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen IRF453, güç kaynakları, motor sürücüleri, anahtarlama devreleri ve endüstriyel kontrolcülerde yaygın olarak kullanılmaktadır. 125W maksimum güç dağılımı kapasitesi ve 130nC gate yükü özellikleri verimli anahtarlama performansı sağlar. ±20V gate-source gerilim aralığında güvenli şekilde çalışır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7.2A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 450 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1800 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-204AA, TO-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 500mOhm @ 7.2A, 10V
Supplier Device Package TO-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok