Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF442
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-204AA
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF442
IRF442 Hakkında
IRF442, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistörüdür. 500V drain-source gerilim dayanımı ve 7A sürekli drain akımı kapasitesiyle, yüksek gerilim uygulamalarında güç anahtarlaması ve kontrol görevlerinde kullanılır. 1.1Ω maksimum RDS(on) değeriyle enerji verimli çalışma sağlar. TO-3 paketindeki bu transistör, endüstriyel kontrol devreleri, SMPS (Switched Mode Power Supply), motor sürücüleri ve güç yönetimi uygulamalarında tercih edilir. Geniş sıcaklık aralığında (-55°C ile 150°C) stabil performans gösterir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 63 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1225 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-204AA, TO-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 125W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.1Ohm @ 4.4A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok