Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRF4104SPBF

IRF4104 - 12V-300V N-CHANNEL POW

Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
IRF4104

IRF4104SPBF Hakkında

IRF4104SPBF, Rochester Electronics tarafından üretilen 40V N-Channel MOSFET güç transistörüdür. 75A sürekli dren akımı kapasitesi ve 5.5mΩ iletim direnci ile düşük güç kaybı sağlar. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi, motor kontrolü ve DC-DC dönüştürücüler gibi endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında ve 140W maksimum güç dağılımında güvenilir performans sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 75A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3000 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 140W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.5mOhm @ 75A, 10V
Supplier Device Package D2PAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok