Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRF4104GPBF

MOSFET N CH 40V 75A TO220AB

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
IRF4104

IRF4104GPBF Hakkında

IRF4104GPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel Metal Oxide MOSFET transistördür. 40V drain-source gerilimi ve 75A sürekli drain akımı kapasitesiyle güç uygulamalarında kullanılır. 10V gate sürüş geriliminde 5.5mΩ (maksimum) on-resistance değerine sahip olup, düşük geçiş kayıpları sağlar. Gate charge 100nC ve input capacitance 3000pF'dir. 140W maksimum güç dağılımı kapasitesiyle anahtarlama devreleri, motor kontrol, DC-DC dönüştürücüler ve elektrik güç yönetim sistemlerinde uygulanır. TO-220-3 paketinde sunulan bileşen, -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. Cihaz obsolete statüsündedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 75A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3000 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 140W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.5mOhm @ 75A, 10V
Supplier Device Package TO-220AB
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok