Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF40H210
MOSFET N-CH 40V 100A 8PQFN
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 8-PowerVDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF40H210
IRF40H210 Hakkında
IRF40H210, Rochester Electronics tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 40V drain-source gerilimi ve 100A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle güç uygulamalarında kullanılır. 8-PQFN (5x6) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, düşük 1.7mΩ on-state direnci sayesinde anahtarlama devrelerinde, güç dönüştürücülerinde, motor sürücülerinde ve DC-DC konvertörlerde uygulanır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Gate charge 152nC olup, hızlı anahtarlama karakteristiğine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 152 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5406 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 125W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.7mOhm @ 100A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-PQFN (5x6) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.7V @ 150µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok