Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF40DM229
MOSFET N-CH 40V 159A DIRECTFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- DirectFET™ Isometric MF
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF40DM229
IRF40DM229 Hakkında
IRF40DM229, Rochester Electronics tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. DirectFET™ Isometric MF paket tipinde sunulan bu bileşen, 40V drain-source gerilim ve 159A sürekli drain akımı kapasitesi ile yüksek akım uygulamalarında kullanılmaktadır. 1.85mOhm (10V, 97A'de) maksimum on-state direnci ve düşük gate charge (161nC @ 10V) karakteristikleri ile anahtarlama uygulamalarında verimliliktir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Güç kaynakları, motor kontrol devreleri, şarj sistemleri ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 159A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 161 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5317 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | DirectFET™ Isometric MF |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 83W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.85mOhm @ 97A, 10V |
| Supplier Device Package | DirectFET™ Isometric MF |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.9V @ 100µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok