Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF3808SPBF
MOSFET N-CH 75V 106A D2PAK
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF3808
IRF3808SPBF Hakkında
IRF3808SPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 75V drain-source gerilimi ve 106A sürekli drenaj akımı ile güç uygulamalarında kullanılır. 7mΩ üzerinde düşük RDS(on) değeri ve 200W maksimum güç tüketimi ile anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde tercih edilir. D2PAK (TO-263) yüzey montaj paketi sayesinde kompakt tasarımlara uyum sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında endüstriyel ve ticari uygulamalarda kullanılabilir. Motor sürücüleri, güç kaynakları ve DC-DC dönüştürücüler için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 106A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 75 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 220 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5310 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Market |
| Power Dissipation (Max) | 200W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7mOhm @ 82A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok