Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRF3808PBF

MOSFET N-CH 75V 140A TO220AB

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
IRF3808

IRF3808PBF Hakkında

IRF3808PBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 75V drain-source voltaj ve 140A sürekli drain akımı kapasitesiyle güç yönetimi, motor kontrol, inverter devreleri, güç kaynakları ve endüstriyel uygulamalarda kullanılır. TO-220AB paketinde sunulan bu bileşen, 10V gate voltajında 7mΩ düşük on-resistance (RDS(on)) sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen ve 330W maksimum güç dağıtabilen bu MOSFET, yüksek akım anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Hızlı anahtarlama karakteristiği ve düşük gate charge değerleri sayesinde verimli devre tasarımı sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 140A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 75 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5310 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 330W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7mOhm @ 82A, 10V
Supplier Device Package TO-220AB
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok