Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRF3717PBF

MOSFET N-CH 20V 20A 8SO

Paket/Kılıf
8-SO
Seri / Aile Numarası
IRF3717

IRF3717PBF Hakkında

IRF3717PBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 20V Drain-Source gerilimi ve 20A sürekli drenaj akımı ile tasarlanmıştır. 4.4mOhm (10V, 20A) on-resistance değeri ile düşük güç kayıpları sağlar. 8-SO yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama uygulamaları, motor kontrolü, güç yönetimi ve DC-DC dönüştürücü devrelerde kullanılmaktadır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu transistör, endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 20A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 33 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2890 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Market
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.4mOhm @ 20A, 10V
Supplier Device Package 8-SO
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.45V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok