Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRF3710ZSPBF

MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK

Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
IRF3710

IRF3710ZSPBF Hakkında

IRF3710ZSPBF, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source voltajı ve 59A sürekli drain akımı kapasitesine sahip bu bileşen, yüksek güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. D2PAK (TO-263-3) yüzey montajlı paketinde sunulan IRF3710ZSPBF, 18mΩ maksimum RDS(on) değeriyle düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile +175°C arası çalışma sıcaklığında 160W güç saçma kapasitesine sahiptir. Motor kontrol devreleri, güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında sıklıkla tercih edilir. 120nC gate charge ve 2900pF input capacitance özellikleriyle hızlı anahtarlama performansı sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 59A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2900 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Market
Power Dissipation (Max) 160W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18mOhm @ 35A, 10V
Supplier Device Package D2PAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok