Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF3710ZLPBF
HEXFET POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF3710Z
IRF3710ZLPBF Hakkında
IRF3710ZLPBF, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel HEXFET Power MOSFET transistörüdür. 100V drain-source gerilimi ve 59A sürekli drain akımı özellikleriyle güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 18mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. TO-262 paketinde Through Hole montajı destekler. -55°C ile +175°C arasında çalışabilen bu bileşen, endüstriyel kontrol devreleri, motor sürücüleri ve güç dönüştürücülerde yaygın olarak tercih edilir. Gate-Source gerilimi ±20V aralığında, maksimum güç dağılımı 160W'tır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 59A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 120 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2900 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 160W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18mOhm @ 35A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-262 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok