Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRF3710STRRPBF-IR

MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK

Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
IRF3710

IRF3710STRRPBF-IR Hakkında

IRF3710STRRPBF-IR, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilim (Vdss) ile 57A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. D2PAK (TO-263-3) yüzey monte paketinde sunulan bu bileşen, 23mΩ on-state direnci (Rds On) ile güç elektronikleri uygulamalarında verimli anahtarlama sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen transistör, 200W güç disipasyonuna kadir olup motorlu araçlarda, endüstriyel sürücülerde, güç kaynağı tasarımlarında ve anahtarlamalı güç dönüştürücülerinde yaygın olarak kullanılır. 130nC kapı yükü (Qg) ve 3130pF giriş kapasitesi ile hızlı ve kontrollü anahtarlama özelliği sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 57A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3130 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 200W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 23mOhm @ 28A, 10V
Supplier Device Package D2PAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok