Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRF3710STRRPBF

MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK

Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
IRF3710

IRF3710STRRPBF Hakkında

IRF3710STRRPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel güç MOSFETidir. 100V dren-kaynak gerilimi ve 57A sürekli dren akımı ile tasarlanmıştır. 23mΩ on-direnç (Rds On) ile düşük enerji kaybı sağlar. D²Pak (TO-263) paket tipi, yüksek yoğunluklu PCB tasarımlarında kompakt montaj imkanı sunar. -55°C ile 175°C arası çalışma sıcaklığında stabil performans gösterir. 200W maksimum güç dağıtımı kapasitesi ile güç elektriği uygulamalarında, motor kontrol devreleri, anahtarlama kaynakları ve güç dönüştürücülerinde kullanılır. Kısa kapanma süresi ve düşük gate charge özellikleri hızlı anahtarlamayı mümkün kılar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 57A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3130 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Not For New Designs
Power Dissipation (Max) 200W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 23mOhm @ 28A, 10V
Supplier Device Package D2PAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok