Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRF3709ZS

MOSFET N-CH 30V 87A D2PAK

Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
IRF3709

IRF3709ZS Hakkında

IRF3709ZS, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilimi ve 87A sürekli akım kapasitesi ile yüksek akımlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. D2PAK (TO-263) paketinde sunulan bu bileşen, güç kaynakları, motor kontrol devreleri, LED sürücüleri ve enerji dönüşüm sistemlerinde yaygın olarak yer almaktadır. 6.3mΩ (10V, 21A'da) on-resistance değeri ile verimli anahtarlama sağlar. -55°C ile +175°C arasında çalışabilen geniş sıcaklık aralığı, endüstriyel ve oto aplikasyonlar için uygundur. Düşük gate charge (26nC) hızlı anahtarlama özelliğini destekler.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 87A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 26 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2130 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 79W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.3mOhm @ 21A, 10V
Supplier Device Package D2PAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.25V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok