Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRF3709STRLPBF-INF

HEXFET SMPS POWER MOSFET

Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
IRF3709

IRF3709STRLPBF-INF Hakkında

IRF3709STRLPBF-INF, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel HEXFET SMPS Power MOSFET'tir. 30V dren-kaynak gerilimi (Vdss) ile 90A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. 9mΩ maksimum on-direnci (RDS(on)) ile düşük güç kaybı sağlar. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montajlı paket ile tasarlanmıştır. Geniş çalışma sıcaklık aralığında (-55°C ~ 150°C) stabil performans gösterir. SMPS (Switch Mode Power Supply), DC-DC konvertörler, motor sürücüler ve güç yönetimi uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. 41nC kapı yükü ve düşük giriş kapasitansı ile hızlı anahtarlama işlemleri destekler.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 90A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 41 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2672 pF @ 16 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 3.1W (Ta), 120W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9mOhm @ 15A, 10V
Supplier Device Package D2PAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok