Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF3709SPBF
HEXFET SMPS POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF3709
IRF3709SPBF Hakkında
IRF3709SPBF, Rochester Electronics tarafından üretilen N-channel HEXFET MOSFET transistörüdür. 30V drain-source voltaj ve 90A sürekli drain akımı kapasitesiyle anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 9mOhm'luk düşük RDS(on) değeri ve TO-263 (D²Pak) yüzey montaj paketlemesiyle SMPS (Switched Mode Power Supply), DC-DC dönüştürücüler ve güç yönetimi devrelerinde yer alır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bileşen, endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarına uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 90A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 41 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2672 pF @ 16 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.1W (Ta), 120W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9mOhm @ 15A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok