Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRF3709S

MOSFET N-CH 30V 90A D2PAK

Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
IRF3709

IRF3709S Hakkında

IRF3709S, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source voltaj ve 90A sürekli akım kapasitesi ile yüksek akım uygulamalarında kullanılır. D2PAK (TO-263-3) paketinde sunulan bu transistör, güç dönüştürücüler, motor kontrol devreleri ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. 9mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir ve 120W'a kadar güç yayınlayabilir. Surface mount teknolojisi sayesinde yoğun PCB tasarımlarında kullanılabilir. Not: Bu ürün üreticisi tarafından obsolete (üretim durdurulmuş) olarak işaretlenmiştir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 90A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 41 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2672 pF @ 16 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 3.1W (Ta), 120W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9mOhm @ 15A, 10V
Supplier Device Package D2PAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok