Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF3709LPBF
MOSFET N-CH 30V 90A TO262
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF3709
IRF3709LPBF Hakkında
IRF3709LPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel power MOSFET'tir. 30V drain-source gerilim (Vdss) ve 90A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç yönetimi ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-262 paketinde sunulan bu transistör, motor kontrolü, güç kaynakları, LED sürücüleri ve endüstriyel anahtarlama devrelerinde yaygın olarak uygulanır. 9mΩ on-state direnci (10V Vgs) ile düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Through-hole montajı sayesinde klasik PCB tasarımlarında kullanılabilir. Maksimum 120W güç dağıtım kapasitesi (Tc'de) sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 90A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 41 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2672 pF @ 16 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 3.1W (Ta), 120W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9mOhm @ 15A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-262 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok