Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRF3610SPBF

MOSFET N-CH 100V 103A D2PAK

Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
IRF3610

IRF3610SPBF Hakkında

IRF3610SPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source voltaj ve 103A sürekli drain akımı kapasitesine sahip bu bileşen, D2PAK (TO-263-3) yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. 11.6mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybına sahiptir. Güç elektroniği uygulamalarında, motor sürücü devreleri, DC-DC konvertörleri ve anahtarlama güç kaynakları gibi sistemlerde kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığında 333W güç yayma kapasitesine sahiptir. ±20V maksimum gate voltajı ve 150nC gate yükü ile hızlı anahtarlama özelliği sunmaktadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 103A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5380 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Market
Power Dissipation (Max) 333W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11.6mOhm @ 62A, 10V
Supplier Device Package PG-TO263-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok