Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF353
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-204AA
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF353
IRF353 Hakkında
IRF353, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 350V drain-source gerilimi ve 13A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. Metal Oxide teknolojisi kullanılarak üretilen bu bileşen, TO-3 through-hole paketinde sunulmaktadır. 10V sürücü gerilimi ile maksimum 400mOhm RDS(on) değeri sunar. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığında güvenilir performans gösterir. Maksimum 150W güç tüketebilen bu MOSFET, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor kontrol sistemleri ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 13A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 350 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 120 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2000 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-204AA, TO-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 150W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 400mOhm @ 8A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok