Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRF351

N-CHANNEL POWER MOSFET

Paket/Kılıf
TO-204AA
Seri / Aile Numarası
IRF351

IRF351 Hakkında

IRF351, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 350V drain-source gerilimi ve 15A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. TO-3 paketinde sunulan bu komponent, yüksek gerilim uygulamaları için tasarlanmıştır. 10V gate sürüş geriliminde 300mOhm maksimum RDS(on) değeri ile verimli anahtar işlemi sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen IRF351, güç dönüşüm devreleri, motor kontrol sistemleri ve switching power supplies gibi uygulamalarda kullanılır. Through-hole montaj tipi ile PCB'ye doğrudan lehimleme yapılabilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 15A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 350 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2000 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-204AA, TO-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 300mOhm @ 8A, 10V
Supplier Device Package TO-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok