Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRF343

MOSFET N-CH 350V 8A TO3

Paket/Kılıf
TO-204AA
Seri / Aile Numarası
IRF343

IRF343 Hakkında

IRF343, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET) bileşenidir. 350V drain-source gerilimi ve 8A sürekli drain akımı kapasitesiyle yüksek gerilim uygulamalarında kullanılmaya uygundur. TO-3 paketlemesi ile sağlanan bu transistör, güç elektroniği devreleri, anahtarlama uygulamaları ve regülatör tasarımlarında tercih edilir. 125W maksimum güç yayılımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. -55°C ile 150°C arasında çalışan bu bileşen, 60nC gate charge ve 800mOhm RDS(on) değerleriyle anahtarlama hızı ve verim açısından tanımlanmıştır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 350 V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1600 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-204AA, TO-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 800mOhm @ 5A, 10V
Supplier Device Package TO-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok