Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRF3315STRRPBF

MOSFET N-CH 150V 21A D2PAK

Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
IRF3315

IRF3315STRRPBF Hakkında

IRF3315STRRPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 150V drain-source gerilim ve 21A sürekli drenaj akımına sahip bu bileşen, yüksek güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. D²Pak (TO-263) surface mount paketinde sunulan IRF3315, düşük Rds(on) değeri (82mΩ @ 12A, 10V) sayesinde ısıl kayıpları minimize eder. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. Güç kaynakları, motor kontrol devreleri, DC-DC konvertörleri ve diğer anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. 95nC gate charge ve 1300pF input capacitance özellikleriyle hızlı anahtarlama performansı sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 21A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 150 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1300 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 3.8W (Ta), 94W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 82mOhm @ 12A, 10V
Supplier Device Package D2PAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok