Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRF3315SPBF

MOSFET N-CH 150V 21A D2PAK

Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
IRF3315

IRF3315SPBF Hakkında

IRF3315SPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 150V drain-source gerilimi (Vdss) ile 21A sürekli drain akımı kapasitesine sahip bu bileşen, güç yönetimi, anahtarlama uygulamaları ve motor kontrol devrelerinde yaygın olarak kullanılmaktadır. TO-263 (D²Pak) yüzey monte paketinde sunulan IRF3315SPBF, düşük on-dirençli (82 mOhm @ 10V) tasarımı ile verimli enerji dönüştürümü sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kararlı performans sunar. Bileşen 10V gate sürüş gerilimi ile kontrol edilir ve 95 nC gate yükü karakteristiği hızlı anahtarlama işlemlerine olanak tanır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 21A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 150 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1300 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Market
Power Dissipation (Max) 3.8W (Ta), 94W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 82mOhm @ 12A, 10V
Supplier Device Package D2PAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok