Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF3315S
MOSFET N-CH 150V 21A D2PAK
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF3315S
IRF3315S Hakkında
IRF3315S, Infineon Technologies tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 150V drain-source gerilimi ve 21A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. D²PAK (TO-263-3) yüzey montajlı kasa ile sunulan bu bileşen, anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 10V gate sürücü geriliminde 82mΩ RDS(on) direnci ile verimli güç yönetimi sağlar. -55°C ile +175°C arasında çalışabilir ve 94W güç dağıtımı kapasitesine (Ta'da 3.8W) sahiptir. Endüstriyel, tüketici ve otomotiv elektronik uygulamalarında switch ve PWM kontrolü için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 21A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 150 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 95 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1300 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 3.8W (Ta), 94W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 82mOhm @ 12A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok