Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF3315PBF
MOSFET N-CH 150V 23A TO220AB
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF3315
IRF3315PBF Hakkında
IRF3315PBF, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET) olup, 150V drain-source voltaj kapasitesi ve 23A sürekli drain akımı ile tasarlanmıştır. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, güç yönetimi uygulamalarında, switch modlu güç kaynakları, motor kontrolü ve boost dönüştürücüler gibi alanlarda kullanılır. 70mOhm maksimum kanal direnci (Rds On) düşük güç kaybı sağlarken, -55°C ile 175°C arasında çalışabilme kapasitesi geniş sıcaklık aralıklarında güvenilir operasyon sunar. 10V gate sürüş voltajında 95nC gate yükü ile hızlı anahtarlama özellikli devreler için uygun bir seçenektir. Ürün obsolete statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 23A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 150 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 95 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1300 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 94W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 70mOhm @ 12A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok