Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRF331

N-CHANNEL POWER MOSFET

Paket/Kılıf
TO-204AA
Seri / Aile Numarası
IRF331

IRF331 Hakkında

IRF331, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistörüdür. 350V drain-source voltajına ve 5.5A sürekli drain akımına sahip bu bileşen, yüksek gerilim uygulamalarında anahtar elemanı olarak kullanılır. 1Ohm RDS(on) değeri ile verimli iletim sağlar. 75W güç yayılma kapasitesi ile güç kaynakları, motor kontrolü, DC-DC dönüştürücüler ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. TO-3 paketinde sunulan bu MOSFET, -55°C ile 150°C arasında çalışabilen endüstriyel ve profesyonel elektronik sistemlerde güvenilir performans gösterir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5.5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 350 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 700 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-204AA, TO-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1Ohm @ 3A, 10V
Supplier Device Package TO-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok