Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRF3205STRLPBF

IRF3205 - 12V-300V N-CHANNEL POW

Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
IRF3205

IRF3205STRLPBF Hakkında

IRF3205STRLPBF, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel güç MOSFET transistörüdür. 55V Drain-Source gerilim sınırlaması ile 110A sürekli drain akımı kapasitesine sahip bu bileşen, düşük on-direnç değeri (8mOhm @ 62A, 10V) nedeniyle ısıl yönetimi avantajlı uygulamalarda tercih edilir. TO-263 (D²Pak) yüzey montaj paketinde sunulan IRF3205, -55°C ile 175°C arasında güvenli çalışır. Güç kaynakları, motor kontrol devreleri, DC-DC konvertörleri ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. 146nC gate charge ve 3247pF input capacitance özellikleriyle hızlı anahtarlama performansı sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 110A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 55 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 146 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3247 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 200W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8mOhm @ 62A, 10V
Supplier Device Package D2PAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok