Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRF3205PBF

MOSFET N-CH 55V 110A TO220AB

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
IRF3205

IRF3205PBF Hakkında

IRF3205PBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 55V drain-source voltajı ve 110A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile yüksek akım uygulamalarında kullanılır. 8mΩ maksimum Rds(on) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. 200W güç yayma kapasitesi bulunmaktadır. TO-220-3 paket tipi ile PCB'ye dik montaj yapılır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığında kullanılabilir. Anahtarlama devreleri, DC-DC dönüştürücüler, motor sürücüleri ve güç yönetimi uygulamalarında tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 110A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 55 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 146 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3247 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 200W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8mOhm @ 62A, 10V
Supplier Device Package TO-220AB
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok