Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF3205L
MOSFET N-CH 55V 110A TO262
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF3205
IRF3205L Hakkında
IRF3205L, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 55V drain-source gerilimi ve 110A sürekli drain akımı ile yüksek akım uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-262 paketinde sunulan bu bileşen, 8mΩ maksimum on-state direnci sayesinde düşük ısı kaybı sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir ve 200W güç tahsis edebilir. Anahtarlama devreleri, güç yönetimi sistemleri, motor kontrol ve DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak kullanılır. Gate şarj kapasitesi 146nC olup, 10V ile kontrol edilir. Bileşen üretimi durdurulmuş olup, stok ürün olarak temin edilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 110A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 146 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3247 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 200W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8mOhm @ 62A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-262 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok