Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF3007PBF
HEXFET AUTOMOTIVE POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF3007
IRF3007PBF Hakkında
IRF3007PBF, Rochester Electronics tarafından üretilen HEXFET teknolojisine dayalı bir N-Channel Power MOSFET'tir. 75V drain-source gerilimi ve 75A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip bu transistör, otomotiv ve endüstriyel uygulamalarda güç anahtarlaması için tasarlanmıştır. TO-220AB paketinde sunulan bileşen, -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığında 200W'a kadar güç harcayabilir. 12.6mOhm'luk düşük RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama özellikleri sunar. Motor kontrolü, DC-DC dönüştürücüler, solenoid sürücüleri ve batarya yönetim sistemleri gibi uygulamalarda kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 75A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 75 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 130 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3270 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 200W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12.6mOhm @ 48A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok