Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRF2807STRRPBF

MOSFET N-CH 75V 82A D2PAK

Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
IRF2807

IRF2807STRRPBF Hakkında

IRF2807STRRPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 75V drain-source gerilimi ve 82A sürekli drenaj akımı ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 13mOhm (10V, 43A) on-state dirençe sahip bu bileşen, düşük enerji kaybı gerektiren devrelerde tercih edilir. Motor kontrolü, güç kaynakları, LED sürücüleri ve endüstriyel anahtarlama sistemlerinde uygulanabilir. D2PAK (TO-263) yüzey monte paketinde sunulan IRF2807STRRPBF, -55°C ile 175°C arasında çalışır. 230W maksimum güç disipasyonu ile termal yönetim gerektiren tasarımlara uygundur. Gate charge değeri 160nC olup hızlı anahtarlamaya izin verir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 82A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 75 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3820 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Not For New Designs
Power Dissipation (Max) 230W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13mOhm @ 43A, 10V
Supplier Device Package D2PAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok