Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF2805SPBF
MOSFET N-CH 55V 135A D2PAK
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF2805S
IRF2805SPBF Hakkında
IRF2805SPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 55V drain-source gerilimi ve 135A sürekli drain akımı kapasitesi ile yüksek akım uygulamalarında kullanılır. 4.7mΩ (10V, 104A) on-resistance değeri ile düşük kayıp işlemleri sağlar. Surface mount D2PAK (TO-263-3) paketinde sunulan bu transistör, motor kontrol, güç yönetimi, anahtarlama güç kaynakları ve endüstriyel uygulamalarında yer almaktadır. -55°C ile 175°C arasında güvenli çalışma sağlayan geniş sıcaklık aralığı ve 200W maksimum güç hüzümü özelliğine sahiptir. Gate charge değeri (230nC @ 10V) hızlı anahtarlama performansını destekler.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 135A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 230 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5110 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Market |
| Power Dissipation (Max) | 200W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.7mOhm @ 104A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok