Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF2805PBF
MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF2805
IRF2805PBF Hakkında
IRF2805PBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 55V drain-source gerilimi ve 75A sürekli drain akımı ile güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 4.7mΩ maksimum on-direnci ile düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen IRF2805PBF, anahtarlama uygulamaları, motor kontrol devreleri, DC-DC dönüştürücüler ve güç amplifikatörü tasarımlarında yaygın olarak kullanılır. ±20V gate gerilimi ve 230nC gate yükü ile hızlı anahtarlamayı destekler.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 75A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 230 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5110 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 330W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.7mOhm @ 104A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok